Dènyèman, ekip rechèch la ki te dirije pa Associate Pwofesè Xu Shipu soti nan Lekòl la nan Microelectronics Syans ak Teknoloji nan Sun Yat-Sen Inivèsite pibliye yon etid ki gen tit "Eksplorasyon nan ki genyen de dimansyon konduktans ansanm Laalo₃/srtio₃ koòdone pou kèk presyon" nan jounal la entènasyonalman renome ti .
Mekanis nan repons nan detèktè presyon depann sou relasyon ki konstitisyonèl ant estrès ak souch pant, ak sansiblite aparèy tipikman ranfòse pa diminye epesè a nan kèk eleman . Sepandan, eklèsi inite konpwomi yo-dapre-DEDENSE-DEDENTS O-DETALS. (2d) konduktans nan laalo₃/srtio₃ (Lao/Sto) heterointerface kòm yon inite presyon-kèk nan ansanm optimize sansiblite ak estabilite .
Nan fabrike Lao/Sto heterostructure a, ekip la te itilize enpulsyonèl depozisyon lazè yo grandi Lao fim mens sou (001)-oryante srtio₃ (STO) substrats, kontwole atmosfè a depozisyon 2 Mayè ki te sou-an. ki rive soti nan sa yo pòs vid oksijèn . pa analize relasyon an konsantrasyon tanperati-konpayi asirans, ekip la kalkile yon enèji ki ba ionization nan 0 . 03 EV pou pòs vid yo oksijèn, ki efektivman elve nivo a Fermi nan LAO/STO, doue heterostructure a ak metalik kondwit.
The LAO/STO-based pressure sensor demonstrated stable performance over 100 repeated tests and exhibited a linear response to environmental pressure changes ranging from 25 Pa to 900 Pa, achieving a sensitivity of 2.9 × 10⁻⁶ Pa⁻¹. This work confirms that 2D conductance architectures can simultaneously enhance pressure-sensing sensitivity and stability, offering a promising solution for Devlopman Capteur presyon kap vini an.